全自動ウェハスクライブマシンピコ秒レーザ

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業界アプリケーション：

半導体集積回路は、単二メサガラスパッシベーションダイオードウェハ切断スクライブ、単二メササイリスタウェハ切断スクライブ、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、ICウェハ切断スクライブを含む。

マシンの利点：

1、ピコ秒レーザ、カスタムフォーカスヘッドを採用し、フォーカスビーム径が3未満μm，切断パスはわずか10μm，スリットが狭く、より多くのチップチップチップ排出率、熱効果がなく、チップ回路に損傷がない。

2、スクライブ速度は500 mm/sに達し、厚さ1 mm内のサンプルに対して、レーザースクライブは1回で折れる。

3、CCD視覚前走査&自動グリップターゲット位置決め、最大加工範囲650 mm×450 mm、XYプラットフォーム接合精度≦±3μm

4、テーパなし切断、最小フランジ3μm,エッジが滑らかです。

5、十字、中実円、中空円、L型直角辺、映像特徴点などの多種の視覚位置決め特徴を支持する。

6、6年間レーザー微細加工システムの研究開発設計技術の蓄積、性能の安定、3万時間の消耗品なし。

7、ロボットハンドの全自動上下システムで、人件費を節約する。

ピコ秒レーザースクライブ原理（透明材料内の集束破裂切断）：

BesselまたはDOE光学系により、Gaussレーザビームを回折限界まで圧縮し、100-200 KHzの高繰返し周波数、10 psの極短パルス幅のレーザビームにより、集束スポット径を3μm，非常に高いピーク電力密度を有し、透明材料の内部で集束すると、その領域の材料を瞬間的に気化して気化ベルトを生成し、上下両表面に拡散して非線形亀裂を形成し、それによって材料の切断分離を実現する。一般的な透明材料としては、ガラス、サファイア、および半導体シリコンウェハ（赤外線照射は半導体シリコン材料を透過することができる）が挙げられ、いずれもピコ秒およびフェムト秒レーザでのスクライブ加工に適している。

技術仕様パラメータ

ウェハスライス効果図：